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晶体与晶振的区别
作者:小扬
日期:2018年09月19日 14:55
浏览量:634
本文简单介绍晶体及晶振的概念性东西,同时分别对石英晶振与MEMS硅晶振的工艺做了简单描述,以及参数比较。
 
一、 晶体与晶振的区别。
晶体与晶振的叫法在国内比较乱,很多人会把晶体与晶振统称晶振。一般来讲,晶体是指无源晶振,英文名:Crystal,需要串接电容才可起振。晶振一般也叫有源晶振,英文名:Oscillctor。无需串接电容,上电就可以有时钟输出。
 
二、 石英晶振的生产工艺。
石英晶振要经过切割、打磨、镀银、点胶、氮气填充等几十道工序。会存在以下问题风险:
1、 易碎:因为精准度的需要,石英晶片需要打磨的非常薄。所以在运输过程中是非常容易碎掉的。
2、 品质不一致:除易碎的情况外,过高的温度(如:焊接)会容易导致点胶的松动,造成坏品。
3、 漏气:因为石英晶振的精度与镀银有很直接的关系,所以金属壳的密封不好的话,很容易漏气被氧化掉,导致出现比较大的频率偏差。
 
所以石英晶振的DPPM在200-300之间。(DPPM是defective parts per million的缩写.是指百万分比的缺陷率。生产品质术语)
 
三、 MEMS硅晶振的生产工艺。
 
MEMS硅晶振采用的是标准的半导体工艺制程,Die与封装都是全自动化流程。从本质上解决了石英晶振的所有风险:
 
1、 高抗震性:50000G抗震性,石头上摔、用力踩、钳子夹是都不会有问题的。
2、 高品质一致性:DPPM为0.15,也就是说一百万片里面有0.15片的缺陷率。
3、 高精度:普通芯片里面都带有温度补偿电路,全温精度保证。
 
Sitime MEMS 硅晶振可100%兼容石英晶振,无需任何电路更改,可直接替代。
 
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